Samsung, yarı iletken teknolojisinde liderlik yarışında önemli bir adım atıyor. Şirket, ABD’nin Teksas eyaletindeki Taylor tesisinde 2nm ve 3nm boyutlarında ileri seviye yarı iletken çipler üretmeye hazırlanıyor. 2026 yılında seri üretime başlaması planlanan tesis, Samsung’un en büyük rakibi TSMC ile rekabetini kızıştıracak.
Samsung, Taylor’daki yarı iletken fabrikası için milyarlarca dolar harcadı. ABD hükümeti de bu yatırımı desteklemek amacıyla şirkete 4,74 milyar dolarlık teşvik sağladı. Tesis, 2026 yılında tam kapasiteyle çalışmaya başladığında, özellikle yapay zeka çipleri için optimize edilmiş bir üretim süreci sunacak.
Samsung’un bu hamlesi, TSMC’nin Arizona’daki tesislerinde başlattığı 4nm çip üretimine karşı bir cevap niteliğinde. TSMC, bu yılın sonuna kadar 2nm ve 3nm çiplerin üretimine de başlamayı planlıyor. Ancak Samsung, Gate All Around (GAA) teknolojisini kullanarak fark yaratmayı hedefliyor.
Samsung, 2nm ve 3nm çipler için GAA teknolojisini kullanırken, TSMC 3nm süreçlerinde EUV teknolojisini tercih ediyor. Samsung, ayrıca fabrikasız (fabless) firmalar için geliştirdiği “turnkey” hizmetiyle de öne çıkmayı planlıyor. Bu hizmet, çiplerin geliştirilmesinden üretimine kadar olan süreci %20 oranında kısaltmayı vaat ediyor.
Samsung, 2030 yılına kadar yarı iletken endüstrisinde dünya lideri olma hedefini açıkladığı “Vision 2030” planını birkaç yıl önce duyurmuştu. Ancak, teknolojik zorluklar ve stratejik engeller nedeniyle bu hedefe ulaşmakta zorlandı. Analistler, Samsung Foundry’nin Samsung Electronics’ten ayrılması durumunda daha başarılı olabileceğini öne sürüyor. Ancak şirket yönetimi, bu tür bir ayrılığa sıcak bakmıyor.
Samsung’un Taylor tesisindeki üretim kapasitesi, özellikle yapay zeka ve yüksek performanslı bilgi işlem alanlarında büyük bir etki yaratabilir. Şirket, bu yatırımıyla hem teknolojik liderliği hem de küresel pazar payını artırmayı hedefliyor.
